64gb kingston hyperx


Объем памяти: 64 ГБ; Максимальная скорость записи: 180; Максимальная скорость чтения: 350; Цвет: Красный,Черный; Интерфейс подключения: USB 3.0; Материал корпуса: Пластик; Высота: 14; Глубина: 11; Ширина: 2; Вес: 24;

Разработанные и протестированные по высшему классу быстродействия, модули памяти Kingston HyperX легко удовлетворяют самым жестким требованиям любого креативного профессионала, геймера или энтузиаста ПК.


4 × 16 ГБ, DDR4, 2R, 2400 МГц, SO-DIMM 260-pins, non-ECC Unbuffered, 15-15-15, 1.2 В






Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 2666 МГц. Эффективная пропускная способность: 21300 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Соответствующая типу DDR4 оперативная память Kingston HyperX Predator [HX430C15PB3K4/64] применяется для комплектации игровых системных блоков. В комплект, общий объем которого составляет 64 ГБ, входят четыре 16-гигабайтных модуля с одинаковыми характеристиками.
Память отличается высочайшим уровнем стабильности функционирования. Это неудивительно, ведь речь идет о продукции легендарной корпорации Kingston.
Оперативная память Kingston HyperX Predator [HX430C15PB3K4/64].


Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 2400 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL15. Количество планок:.
.


Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 2666 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 21328 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL16. Количество планок:.
.










Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Тип оперативной памяти: DDR3. Частота работы оперативной памяти: 1600 МГц.
Форм-фактор модуля: 204-pin SO DIMM. Множитель частоты шины: 11.
Количество модулей памяти: 1. Универсальное напряжение в 1.
5 В. Размер одного модуля памяти: 2024.
.


Тип оперативной памяти: DDR3. Для ноутбука.
Частота работы оперативной памяти: 1333 МГц. Форм-фактор модуля: 204-pin SODIMM.
Множитель частоты шины: 9. Количество модулей памяти: 1.
Размер одного модуля памяти: 2 Гб. Напряжение питания: 1.
5.
.


Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4.
Объём памяти: 4096 Мб. Объем одного модуля: 4096 Мб.
Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с. CAS Latency (CL): 19.
Напряжение питания: 1.2 В.
Система.
.


Тип оперативной памяти: DDR4. Частота работы оперативной памяти: 2666 МГц.
Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 19.
Количество модулей памяти: 1. Размер одного модуля памяти: 4 Гб.
Напряжение питания: 1.2 В.
Пропускная.
.


Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 2400 МГц. Эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 2666 МГц. Эффективная пропускная способность: 21300 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 3000 МГц. Эффективная пропускная способность: 24000 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 4 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 3200 МГц. Эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Благодаря этой сверхбыстрой энергоэффективной памяти с возможностью масштабирования можно сократить время запуска системы и задержки при выполнении стандартных операций, запускать больше программ одновременно и легко переключаться между..


Тип оперативной памяти: DDR3L. Частота работы оперативной памяти: 1600 МГц.
Форм-фактор модуля: 240-pin DIMM. Множитель частоты шины: 11.
Количество модулей памяти: 1. Размер одного модуля памяти: 4 Гб.
Напряжение питания: 1.35 В.
Пропускная.
.


Тип оперативной памяти: DDR3. Для ноутбука.
Частота работы оперативной памяти: 1333 МГц. Форм-фактор модуля: 204-pin SODIMM.
Множитель частоты шины: 9. Количество модулей памяти: 1.
Размер одного модуля памяти: 4 Гб. Напряжение питания: 1.
5.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 2666 МГц. Эффективная пропускная способность: 21300 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 2400 МГц. Эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 3200 МГц. Эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Тип оперативной памяти: DDR3. Частота работы оперативной памяти: 1333 МГц.
Форм-фактор модуля: 240-pin DIMM. Множитель частоты шины: 9.
Количество модулей памяти: 1. Размер одного модуля памяти: 8 Гб.
Напряжение питания: 1.5 В.
Пропускная способность:.
.


Тип оперативной памяти: DDR3L. Для ноутбука.
Частота работы оперативной памяти: 1600 МГц. Форм-фактор модуля: 204-pin SODIMM.
Множитель частоты шины: 9. Количество модулей памяти: 1.
Размер одного модуля памяти: 8 Гб. Напряжение питания: 1.
35.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 3000 МГц. Эффективная пропускная способность: 24000 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 3200 МГц. Эффективная пропускная способность: 25600 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок:.
.


Объем памяти: 8 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: радиатор ассиметричной формы с RGB подсветкой.
Частота памяти: 3466 МГц. Эффективная пропускная способность: 27700 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Тип памяти: DDR3. Форм-фактор: DIMM 240-контактный.
Тактовая частота: 1333 МГц. Объем: 1 модуль 8 ГБ.
Поддержка ECC: нет. Поддержка XMP: нет.
Буферизованная (Registered): нет. Низкопрофильная (Low Profile): нет.
Тайминги: CAS Latency (CL):.
.


Набор: 1 модуль. Объем: 16 ГБ.
Тип: DDR4 DIMM. Частота: 2666 МГц.
PC-индекс: PC4-21300. CAS Latency: 19T.
Тайминги: 19-19-19. Напряжение питания: 1.
2 В.


Тип оперативной памяти: DDR3. Назначение: для системного блока.
Частота работы оперативной памяти: 1600 МГц. Форм-фактор модуля: 240-pin DIMM.
Множитель частоты шины: 11. Количество модулей памяти: 2.
Размер одного модуля памяти: 8 Гб. Напряжение.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 3000 МГц. Эффективная пропускная способность: 24000 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Назначение: для ноутбука. Тип поставки: один модуль 1x16Gb.
Тип памяти: DDR4. Форм-фактор: SODIMM 260-контактный.
Тактовая частота: 2666 МГц. Пропускная способность: 21300 Мб/с.
Поддержка ECC: нет. Буферизованная: нет.
Латентность: CL19. Подсветка:.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок:.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок:.
.


Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-3.
Объём памяти: 16384 Мб. Объем одного модуля: 8192 Мб.
Количество модулей в комплекте: 2. Тактовая частота: 1866 МГц.
Пропускная способность: 15000 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 11.
RAS to CAS Delay (tRCD):.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 16 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок:.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 2400 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL15. Количество планок:.
.


Тип: оперативная память. Тип памяти: DDR4.
Форм-фактор: SODIMM. Суммарный объем памяти всего комплекта: 32 ГБ.
Объем одного модуля памяти: 32 ГБ. Количество модулей в комплекте: 1 шт.
Частота: 3200 МГц. Пропускная способность: PC25600.
Ранг:.
.


Форм-фактор: DIMM. Тип памяти: DDR-4.
Объём памяти: 32768 Мб. Объем одного модуля: 32768 Мб.
Количество модулей в комплекте: 1. Тактовая частота: 2666 МГц.
Пропускная способность: 21300 Мб/с. Тайминги: CAS Latency (CL): 19.
RAS to CAS Delay (tRCD):.
.


Тип оперативной памяти: DDR4. Частота работы оперативной памяти: 3200 МГц.
Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 16.
Количество модулей памяти: 2. Размер одного модуля памяти: 16 Гб.
Напряжение питания: 1.2 В.
Пропускная.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: алюминиевый радиатор.
Частота памяти: 3200 МГц. Эффективная пропускная способность: PC4-25600.
Схема таймингов памяти: JEDEC: DDR4-2400.
.


Тип оперативной памяти: DDR4. Для ноутбука.
Частота работы оперативной памяти: 3200 МГц. Форм-фактор модуля: 260-pin SODIMM.
Множитель частоты шины: 20. Количество модулей памяти: 2.
Размер одного модуля памяти: 16 Гб. Напряжение питания: 1.
2.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: радиатор ассиметричной формы с RGB подсветкой.
Частота памяти: 3466 МГц. Эффективная пропускная способность: 27700 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок:.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3733 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 29864 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL19. Количество планок:.
.


Объем памяти: 32 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.35 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.


Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Охлаждение: низкопрофильный радиатор ассиметричной формы.
Частота памяти: 2666 МГц. Эффективная пропускная способность: 21300 МБ/с.
Схема таймингов.
.


Тип оперативной памяти: DDR4. Частота работы оперативной памяти: 3600 МГц.
Форм-фактор модуля: 288-pin DIMM. Множитель частоты шины: 17.
Количество модулей памяти: 2. Размер одного модуля памяти: 16 Гб.
Напряжение питания: 1.2 В.
Пропускная.
.


Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 2666 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 21328 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL16. Количество планок:.
.


Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 2400 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 19200 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL15. Количество планок:.
.


Объем памяти: 64 ГБ. Тип памяти: DDR4 SDRAM.
Напряжение питания: 1.2 В.
Радиаторы на планках: есть. Частота памяти: 3600 МГц.
Охлаждение: радиатор. Эффективная пропускная способность: 28800 МБ/с.
Схема таймингов памяти: CL17. Количество планок:.
.
